收藏本站
IXTA50N20P IXTP50N20P
IXTQ50N20P
90
Fig. 7. Input Admittance
36
Fig. 8. Transconductance
80
70
60
50
40
32
28
24
20
16
T J = - 40oC
25oC
150oC
30
20
10
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
12
8
4
0
4
5
6
7
8
9
10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120
V G S - Volts
I
D
- Amperes
150
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 100V
125
100
75
8
7
6
5
4
I D = 25A
I G = 10mA
50
25
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
0
10
20
30
40
50
60
70
V S D - Volts
Q
G
- nanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Safe Operating Area
T J = 175oC
R DS(ON) Limit
T C = 25oC
1000
C iss
100
Single Puls e
25μs
C oss
100μs
100
10
f = 1MHz
C rss
10
1
DC
1m s
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTQ50N25T MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P
IXTQ62N15P MOSFET N-CH 150V 62A TO-3P
IXTQ75N10P MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P
IXTQ80N28T MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
IXTQ86N20T MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P
IXTQ90N15T MOSFET N-CH 150V 90A TO-3P
IXTR16P60P MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247
IXTR200N10P MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
相关代理商/技术参数
IXTQ50N25T 功能描述:MOSFET 50Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ52N30P 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ52P10P 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ54N30T 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ56N15T 功能描述:MOSFET 56 Amps 150V 36 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ60N20L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ60N20T 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode For PDP Drivers Avalanche Rated
IXTQ60N30T 功能描述:MOSFET 60 Amps 300V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube